saiz LED SMD 5730 putih

S MD LED SIZES 5730 WHITE

5730 Pembungkusan cip LED Sebagai peranti teras lampu jalan LED, prestasi cip LED perlu ditingkatkan dengan proses pembungkusan LED untuk mencapai kesan kecekapan cahaya, kehidupan, kestabilan, reka bentuk optik, dan pelesapan haba. Oleh kerana struktur cip LED yang berbeza, proses pembungkusan yang sepadan juga mempunyai perbezaan yang besar. Sebagai komponen utama dalam lampu jalan LED, 5730 pembungkusan cip LED memainkan peranan penting dalam meningkatkan prestasi cip LED. Kecekapan, jangka hayat, kestabilan, reka bentuk optik, dan ciri -ciri pelesapan haba semuanya dipengaruhi oleh proses pembungkusan LED. Adalah penting untuk diperhatikan bahawa struktur cip LED yang berbeza memerlukan proses pembungkusan yang berbeza.

Dalam struktur positif dan menegak kerepek LED, Gallium Nitride (GaN) berinteraksi dengan fosfor dan gel silika. Sebaliknya, struktur flip-chip melihat nilam bersentuhan dengan fosfor dan gel silika. GAN mempunyai indeks biasan kira-kira 2.4, nilam berada pada 1.8, fosfor pada 1.7, dan gel silika biasanya berbeza antara 1.4-1.5. Menggambarkan indeks ini, jumlah refleksi sudut kritikal sapphire/(silika gel + fosfor) lebih besar (51.1-70.8 °) berbanding dengan GaN/(silika gel + fosfor) (36.7-45.1 °).

Akibatnya, cahaya yang dipancarkan dari permukaan nilam dalam struktur pembungkusan menemui sudut kritikal yang lebih besar ketika melewati gel silika dan antara muka fosfor, yang secara substansial mengurangkan kehilangan refleksi cahaya.

Di samping itu, perbezaan dalam reka bentuk struktur cip LED membawa kepada variasi dalam ketumpatan dan voltan semasa, memberi kesan yang ketara kepada kecekapan cahaya cip LED. Sebagai ilustrasi, cip konvensional, yang dimuatkan secara positif biasanya mempunyai voltan melebihi 3.5V. Sementara itu, reka bentuk elektrod struktur flip-cip memastikan pengedaran semasa yang lebih seragam, dengan itu mengurangkan voltan cip LED kepada 2.8V-3.0V. Akibatnya, kecekapan cahaya cip flip melampaui cip positif sebanyak kira-kira 16-25%.

Struktur positif dan menegak cip LED adalah GaN bersentuhan dengan fosfor dan gel silika, manakala struktur flip-cip adalah nilam yang bersentuhan dengan fosfor dan gel silika. Indeks refraktif GAN adalah kira-kira 2.4, indeks biasan nilam adalah 1.8, indeks biasan fosfor adalah 1.7, dan indeks biasan gel silika biasanya 1.4-1.5. Jumlah refleksi sudut kritikal nilam/(silika gel + fosfor) dan gan/(silika gel + fosfor) masing-masing adalah 51.1-70.8 ° dan 36.7-45.1 °, dan cahaya yang dipancarkan dari permukaan safir dalam struktur pakej melalui Gel silika dan antara muka fosfor. Sudut kritikal keseluruhan refleksi lapisan adalah lebih besar, dan jumlah kehilangan refleksi cahaya sangat dikurangkan. Pada masa yang sama, reka bentuk struktur cip LED berbeza, menghasilkan ketumpatan dan voltan semasa yang berbeza, yang mempunyai kesan yang signifikan terhadap kecekapan cahaya cip LED. Sebagai contoh, cip pemuatan positif konvensional biasanya mempunyai voltan lebih daripada 3.5V, dan struktur flip-chip mempunyai taburan arus yang lebih seragam kerana reka bentuk struktur elektrod, supaya voltan cip LED sangat Oleh itu, dikurangkan kepada 2.8V-3.0V, dalam hal, kesan cahaya cip flip adalah kira-kira 16-25% lebih tinggi daripada cip positif.

Spesifikasi S MD LED SIZES 5730 WHITE

Kategori produk : Topologi yang diketuai > 5730 SMD LED